มีรายงานว่า Samsung Electronics กำลังพัฒนาหน่วยความจำแฟลช NAND รุ่นใหม่ 3 แบบ เพื่อรองรับงาน AI ที่มีความต้องการต่างกัน ตั้งแต่การประมวลผลบนอุปกรณ์ไปจนถึงดาต้าเซ็นเตอร์ โดย ZDNET Korea อ้างแหล่งข่าวในอุตสาหกรรมว่า บริษัทกำลังพัฒนา zNAND-O, zNAND-T และ zNAND-I อย่างไรก็ตาม ขณะนี้ Samsung เปิดเผยต่อสาธารณะเพียง zNAND-O ส่วนอีกสองแบบยังไม่ได้รับการยืนยันอย่างเป็นทางการ และอยู่ในช่วงเริ่มต้นของการพัฒนา
สำหรับงาน AI ในดาต้าเซ็นเตอร์ประสิทธิภาพสูง zNAND-T จะมุ่งเพิ่มแบนด์วิดท์ หรือปริมาณข้อมูลที่รับส่งได้ในแต่ละช่วงเวลา โดยมีแนวคิด High Bandwidth Flash (HBF) เป็นหัวใจสำคัญ เป้าหมายคือให้ระบบถ่ายโอนข้อมูลจำนวนมากได้อย่างรวดเร็ว
ส่วน zNAND-I จะเน้นเพิ่ม IOPS หรือจำนวนการดำเนินการรับส่งข้อมูลต่อวินาที เพื่อรองรับงานที่ต้องเข้าถึงข้อมูลขนาดเล็กจำนวนมากอย่างรวดเร็ว คุณสมบัตินี้มีความสำคัญกับการประมวลผลเพื่อให้โมเดล AI สร้างผลลัพธ์ หรือ AI Inference จึงเป็นการออกแบบที่ให้ความสำคัญกับจำนวนครั้งในการเข้าถึงข้อมูล ต่างจาก zNAND-T ที่เน้นปริมาณข้อมูลที่ถ่ายโอนได้
ด้าน zNAND-O ซึ่ง Samsung นำเสนอแบบจำลองแนวคิดในงาน FMS 2026 ออกแบบมาสำหรับ AI ที่ประมวลผลบนอุปกรณ์โดยตรง จุดเด่นอยู่ที่ประสิทธิภาพการใช้พลังงาน เพื่อให้แอปพลิเคชัน AI ทำงานภายในอุปกรณ์ได้โดยใช้ไฟน้อยที่สุด มากกว่าการมุ่งเพิ่มสมรรถนะสูงสุดเพียงอย่างเดียว
โครงสร้างของ zNAND-O ใช้ชิป NAND ซ้อนกัน 4 หรือ 8 ชั้น และเชื่อมต่อผ่าน TSV (Through-Silicon Via) ซึ่งเป็นการเชื่อมต่อแนวตั้งผ่านเนื้อซิลิคอน เพื่อลดระยะทางที่ข้อมูลต้องเดินทางระหว่างชิป ช่วยเพิ่มความเร็วในการรับส่งข้อมูลและประสิทธิภาพการใช้พลังงาน
การพัฒนา NAND แยกตามลักษณะงานของ Samsung สอดคล้องกับกลยุทธ์ของคู่แข่งอย่าง SK Hynix ซึ่งกำลังพัฒนา NAND เฉพาะทาง 3 แบบเช่นกัน โดยทั้งสามแบบในรายงานนี้สะท้อนความต้องการที่ต่างกันของงาน AI ทั้งการประหยัดพลังงานบนอุปกรณ์ การถ่ายโอนข้อมูลจำนวนมาก และการเข้าถึงข้อมูลย่อยอย่างรวดเร็ว
ติดตามข่าวสารอัปเดตเทคโนโลยี เกม และไลฟ์สไตล์เพิ่มเติมได้ที่หน้าแรก techcatchup.net
พร้อมช่องทางโซเชียล Facebook | Instagram | TikTok | YouTube | X
